机译:氢化作用对MONOS型记忆程序/擦除周期质量改善的影响的原子学研究
机译:氢对MONOS型存储器编程/擦除循环的影响的理论研究
机译:氢对MONOS型存储器编程/擦除循环的影响的理论研究
机译:具有高编程/擦除循环耐久性的MONOS型存储器的原子学指导原则
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:编程/擦除操作对基于氧化物的电阻式开关存储器性能的影响
机译:3-D NAND闪存中程序/擦除循环期间横向电荷扩散劣化的原子研究
机译:电子束可编程128K位晶圆级EpROm(可擦除可编程只读存储器)。