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【24h】

Influence of Si/sub 3/N/sub 4/ passivation on electron mobility of InGaAs/InP composite channel high electron mobility transistor structures

机译：Si / sub 3 / N / sub 4 /钝化对InGaAs / InP复合沟道高电子迁移率晶体管结构的电子迁移率的影响

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来源
《Indium Phosphide and Related Materials, 2005. International Conference on》|2005年|P.520-522|共3页
会议地点
作者
Yuwei Liu; Hong Wang;
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正文语种
中图分类工业技术;
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