机译:电子密度在应变和晶格匹配的InGaAs / InAlAs / InP高电子迁移率晶体管结构的调制光谱中的作用
机译:在室温下使用InAlAs / InGaAs / InP材料系统对高电子迁移率晶体管结构中的太赫兹辐射进行非共振检测
机译:Inalas / InGaAs / InP高电子迁移率,具有复合通道和更高的击穿特性
机译:具有线性渐变In_xGa_(1-x)As通道的δ掺杂InAlAs / InGaAs / InP高电子迁移率晶体管的研究
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP材料系统的高电子迁移率晶体管结构中的室温太赫兹检测
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:拟晶态Al0.32Ga0.68As / In0.15Ga 0.85As / GaAs高电子迁移率晶体管结构的调制光谱中的简并电子气效应
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构