indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; avalanche breakdown; semiconductor device breakdown; heterojunction bipolar transistors; semiconductor device models; impact ionisation; carrier relaxation time; temperature-dependent avalanche mu;
机译:具有复合集电极的InP / InGaAs双异质结双极晶体管中的雪崩倍增
机译:InGaAs / InP复合收集器的基于InP的HBT中雪崩倍增的温度依赖性:器件表征和物理模型
机译:高性能复合收集器InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:基于INP的异位结双极晶体管温度依赖性雪崩乘法的理论与实验研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。