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机译:InGaAs / InP复合收集器的基于InP的HBT中雪崩倍增的温度依赖性:器件表征和物理模型
Avalanche breakdown; Double heterojunction bipolar transistors (DHBTs); Impact ionization; Indium phosphide (InP); Temperature dependence; Transistors;
机译:具有复合集电极的InP / InGaAs双异质结双极晶体管中的雪崩倍增
机译:基于InP的超高速异质结构器件技术:基于InP的HFET和HBT
机译:InP / InGaAs雪崩光电二极管分别吸收,分级,充电和倍增时击穿电压的温度依赖性
机译:InGaAs / InP复合集电极的基于InP的异质结双极晶体管中与温度有关的雪崩倍增的理论和实验研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在工作速度超过10 Gbps的导电基板上制造平面型顶部照明的基于InP的雪崩光电探测器并进行表征
机译:基于时域建模的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增层厚度的性能相关性
机译:基于时域建模的Inp / InGaas雪崩光电倍增层厚度性能依赖性