indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; semiconductor quantum dots; photoluminescence; excitons; biexcitons; InAs/GaAs quantum dot; single electron level; photoluminescence spectra; exciton; biexciton; InAs-GaAs;
机译:通过分别产生电子和空穴来增强单个InAs / GaAs量子点的光致发光强度
机译:InAs / GaAs量子点的单电子能级:与电容光谱法的比较
机译:Quantum被局限于inAs / GaAs二维电子气体耦合的INAS量子点的光致发光的温度依赖性
机译:纯发光从展出单个电子电平的小型InAs / GaAs量子点过渡
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:来自显示单个电子能级的小InAs / GaAs量子点的纯发光跃迁