GaN epilayer; buffer layer; temperature ramping rate; MOCVD; AFM; XRD;
机译:温度升高速率对GaN缓冲层及随后通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN覆盖层的影响
机译:GaN缓冲层的生长压力对MOCVD GaN性能的影响
机译:低温GaN缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a-GaN膜的结构和光学性能的影响
机译:MOCVD对GaN缓冲层和随后GaN覆盖器的性质的初始生长效应
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:GaN缓冲层的生长压力对MOCVD GaN性能的影响
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应