机译:GaN缓冲层的生长压力对MOCVD GaN性能的影响
Department of Material Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China;
gallium nitride; MOCVD; in situ laser reflectometry;
机译:GaN缓冲层的反应堆压力对MOCVD生长的GaN形态演变的影响
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:初始生长对MOCVD GaN缓冲层和随后的GaN覆盖层性能的影响
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:GaN缓冲层的生长压力对MOCVD GaN性能的影响
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻