机译:GaN缓冲层的生长压力对MOCVD GaN性能的影响
机译:GaN缓冲层的反应堆压力对MOCVD生长的GaN形态演变的影响
机译:AlN生长温度对硅上GaN HEMT缓冲层电性能的影响
机译:初始生长对MOCVD GaN缓冲层和随后的GaN覆盖层性能的影响
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:具有不同InGaN背势垒层和通过MOCVD生长的GaN沟道厚度的Al0.25Ga0.75N / AIN / GaN异质结构中的电子传输性能
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻