机译:中剂量氟注入提高了p〜+-多晶硅-栅p-沟道金属氧化物半导体的超薄栅氧化物完整性
机译:大剂量离子注入光致抗蚀剂(HDI-PR)中的壳层在暴露于大气压氧等离子体下的力学行为:纳米压痕中的“突入”点
机译:结合干湿单晶圆工艺剥离大剂量离子注入光刻胶
机译:通过UV Photostabilization改善光致抗蚀剂的完整性,高剂量,高能量离子植入物
机译:使用中压等离子体(MPP)射流去除高剂量离子注入光刻胶的无残留工艺。
机译:超低能大剂量硼注入Si(110)的化学状态和原子结构演变
机译:使用单晶圆,单室干/湿混合系统剥离和清洗高剂量离子注入光刻胶