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谢东珠; 朱德彰; 潘浩昌; 曹德新; 徐洪杰;
中国科学院上海原子核研究所,上海,201800;
离子注入; α-Al2O3单晶; 晶格损伤; 表面改性;
机译:高剂量离子注入技术SiO_2薄膜的表面改性作为合适的制造工艺
机译:使用单晶片,单室干/湿混合系统剥离和清洁高剂量离子注入的光致抗蚀剂
机译:镍离子注入对96 Al2O3的表面改性研究
机译:新型单晶圆,单腔组合干湿系统,用于高剂量离子注入光刻胶的剥离和原位清洗
机译:金属间钇镍碳化钡单晶和几种高T(c)材料的超导研究。
机译:高危钇或复发性非霍奇金淋巴瘤患者的高剂量钇90-阿比特单抗tiuxetan联合高剂量依托泊苷和环磷酰胺联合自体干细胞移植的1/2期临床试验
机译:使用单晶圆,单室干/湿混合系统剥离和清洗高剂量离子注入光刻胶
机译:离子注入氧化钇稳定氧化锆的表面改性
机译:单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译:回收铂和pt / al2o3催化剂中其他成分的方法是使用sio2和pt / al2o3。
机译:在硅锗基上生产半导体结构的方法,涉及通过高剂量离子注入使锗离子进入单晶硅晶片的体积
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