机译:使用薄InP钝化层减少InGaAs / InP伪异质结双极晶体管中的表面复合电流
机译:使用超薄15 nm ALD-Al_2O_3表面钝化技术提高了基于InAlAs / InGaAs InP的HEMT的DC和RF性能
机译:基于T形闸门in inalas / Ingaas INP的Si3N4-PECVD和Al2O3-ALD表面钝化的比较研究
机译:使用紫外线辐照和臭氧的InGaAs / InP Beterostrustures的表面钝化
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:钝化中的超低表面复合速度InGaAs / InP纳米柱
机译:InGaAs / GaAs近表面量子阱上外延薄层GaN和InP钝化的比较
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学