机译:采用SiCl_4化学工艺的干法刻蚀质量高的Ga_xGd_yO_z栅极氧化物,可在制造III-V MOSFET时实现低电阻欧姆接触
机译:一种利用C-V,G-V和I-V模拟来研究III-V MOSFET高kappa电介质中的缺陷分布和原生氧化物的新技术
机译:具有SiO_2和高K栅极电介质的纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极隧穿电流分析
机译:III-V复合半导体MOSFET使用GA / SUS 2 / O / SUB 3 /(GD / SUB 2 / SU / SUB 3 /)作为栅极电介质
机译:使用III-V半导体在原子层上沉积高k栅极电介质的MOS接口的研究。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:亚微米,金属栅极,高ε电介质,无植入,增强型III-V mOsFET
机译:III-V化合物半导体天然氧化物mosfets专注于界面研究。