机译:低于0.18 / spl mu / m CMOS技术的逆向阱注入中确定性空间变化对浅沟槽隔离的影响
机译:0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS技术中的总剂量对浅沟槽隔离漏电流特性的影响
机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
机译:浅沟槽隔离研究,适用于0.25 / 0.18 / spl mu / m CMOS技术及更高
机译:商用深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离边界单光子雪崩二极管。
机译:CmOs图像传感器浅沟槽隔离边缘氮化物纵梁暗漏电流斑点缺陷