GaN; edge termination; vertical power diode; multi-zone JTE; JTE;
机译:具有阶梯式三联结终端延伸的垂直GaN P-N二极管的设计与制造
机译:垂直GaN功率二极管中结终端扩展的仿真
机译:垂直GaN二极管中的反掺杂多区结终止扩展结构
机译:用Mg离子注入结终端延伸改进的垂直GaN二极管
机译:通过器件仿真开发基本设计规则并评估大功率碳化硅二极管的新颖设计结构。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:垂直GaN二极管中的反掺杂多态连接终端延伸结构
机译:si,siC和金刚石结和肖特基功率二极管的电特性模拟