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机译:垂直GaN二极管中的反掺杂多态连接终端延伸结构
Mohammed Shurrab; Amna Siddiqui; Shakti Singh;
机译:垂直GaN二极管中的反掺杂多区结终止扩展结构
机译:具有阶梯式三联结终端延伸的垂直GaN P-N二极管的设计与制造
机译:垂直GaN功率二极管中结终端扩展的仿真
机译:用Mg离子注入结终端延伸改进的垂直GaN二极管
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:垂直GaN-on-GaN肖特基二极管作为α粒子辐射传感器
机译:具有改进的MESA结构的高击穿电压垂直GaN-On-GaN P-I-N二极管的研究
机译:高压二极管器件的结终端扩展结构的制造方法
机译:包括保护环的延伸部分在内的接合终端延伸部分的结构以及包括该结构的电子元件的制造方法
机译:包括结终止延伸结构的超结半导体器件及其制造方法
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