Electrodes; Memory management; Random access memory; Switches; Resistance; Microelectronics; Power demand;
机译:cNV SRAM:基于CMOS技术的基于非易失性SRAM的超低泄漏能量混合存储系统
机译:基于混合RRAM(HfO2)/ 28 nm FDSOI CMOS技术的128 kb嵌入式非易失性存储器的设计和仿真
机译:用于同时SEU检测和校正的混合非易失性SRAM单元的设计
机译:130nm RRAM技术中杂种CMOS非易失性SRAM细胞的设计
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:CMOS 130NM技术设计低功率高速混合1位全加法器