机译:Al_xGa_(1-x)/ GaN HEMT中I-V和C-V特性的紧凑摩尔分数依赖性建模
机译:Al摩尔分数对GaAs / Al / sub x / Ga / sub 1-x / As HEMT噪声性能的影响
机译:夹断电流泄漏特性对Al_xGa_(1-x)N / GaN HEMT微波功率性能的影响
机译:Al Mole分数对AL_XGA_(1-X)N / GAN HEMTS微波噪声性能的影响
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明