HEMTs; MODFETs; Dielectrics; Logic gates; Aluminum oxide; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors;
机译:基于电荷存储的增强模式AIGAN / GaN高电子移动晶体管
机译:对P-GaN门AlGaN / GaN电力高电子移动晶体管输入电容的电荷储存撞击
机译:在6英寸上制造的1.48kV增强型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管。氟化物基等离子体处理的硅
机译:增强模式AlGaN / GaN高电子移动性晶体管基于电荷存储
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:新型高性能AlGaN / GaN基增强型金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管