Electric potential; Logic gates; Silicon; Films; MOSFET; Semiconductor process modeling; Analytical models;
机译:具有高介电常数的短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的阈值电压模型
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:全耗尽SOI四门MOSFET的排水击穿电压模型
机译:中子辐照对功率MOSFET击穿电压的影响
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应