shallow PN junction; rapid annealing; infrared semiconductor laser; SIMS; free carrier absorption;
机译:离子注入硼快速热退火过程中升温速率对超浅结形成的影响
机译:离子注入硼快速热退火过程中升温速率对超浅结形成的影响
机译:L. Rubin等人对“通过TiSi / sub 2 /薄膜注入砷和硼并进行快速热退火形成浅结二极管”的评论和答复
机译:使用红外半导体激光通过簇硼植入和快速退火形成浅PN结的形成
机译:硼注入硅的非熔融激光退火。
机译:超低能大剂量硼注入Si(110)的化学状态和原子结构演变
机译:优化脉冲激光退火以提高半导体异质结构中注入结整流器的清晰度
机译:硼注入激光退火硅的红外反射率和透射率