首页> 外文OA文献 >Optimization of Pulse Laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure

【2h】

Optimization of Pulse Laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure

机译：优化脉冲激光退火以提高半导体异质结构中注入结整流器的清晰度

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
E. L. Pankratov;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Optimization of Pulse Laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure [J] . E. L. Pankratov Nano-Micro Letters . 2010,第4期

机译：优化脉冲激光退火以提高半导体异质结构中注入结整流器的清晰度
2. Optimization of Pulse Laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure [J] . E.L.Pankratov 纳微快报：英文版 . 2010,第004期

机译：优化脉冲激光退火以提高半导体异质结构中注入结整流器的清晰度
3. Decreasing of Depth of Implanted-Junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure by Optimized Laser Annealing [J] . E. L. Pankratov Journal of computational and theoretical nanoscience . 2010,第1期

机译：通过优化激光退火降低半导体异质结中注入结整流器的深度
4. CW and pulsed high-power semiconductor separate-confinement double heterostructure lasers [C] . Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Slipchenko S.O. IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series . 2012

机译：连续波和脉冲高功率半导体分离约束双异质结构激光器
5. Pulsed laser annealing and rapid thermal annealing of copper-indium-gallium-diselenide-based thin film solar cells. [D] . Wang, Xuege. 2005

机译：基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
6. Broadband tunable integrated CMOS pulser with 80-ps minimum pulse width for gain-switched semiconductor lasers [O] . Shaoqiang Chen, Shengxi Diao, Pengtao Li, -1

机译：宽带可调集成CMOS脉冲发生器最小脉冲宽度为80ps用于增益转换半导体激光器
7. Optimization of pulse laser annealing to increase sharpness of implanted-junction rectifier in semi-conductor heterostructure [O] . Evgeny L. Pankratov 2011

机译：脉冲激光退火的优化，从而增加半导体异质结构中植入结整流器的锐度
8. Comparison of Pulsed Electron Beam-Annealed and Pulsed Ruby Laser-Annealed Ion-Implanted Silicon [R] . Wilson, S. R., Appleton, B. R., White, C. W., 1978

机译：脉冲电子束退火和脉冲红宝石激光退火离子注入硅的比较

Optimization of Pulse Laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅