Metals; Ohmic contacts; Annealing; Electromagnetic heating; HEMTs; Substrates; Resistance;
机译:使用快速热退火介电保护层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的欧姆接触和电性能的纳米级表面形态优化
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上基于Ir和Nj的欧姆接触的退火温度稳定性
机译:Si_3N_4钝化的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上欧姆接触形成的机理
机译:使用微波退火的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管机理
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管外延异质结构上欧姆接触和栅极的形成特征。
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。