EUVL; mask blank; low aspect; signal intensity; wafer impact; actinic inspection; illumination NA;
机译:通过光电子显微镜对EUVL掩模空白缺陷进行光化检查:检查波长变化的影响
机译:EUVL多层掩模坯料光化缺陷检测的新方法:驻波光发射电子显微镜
机译:光化掩模空白检查和信号分析,可检测高度低至1.5 nm的相位缺陷
机译:光化EUVL面罩空白检查的低宽边相缺陷分析
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:超声相控阵检查用于近场缺陷的瞬时相干成像
机译:<标题> euvl掩码1cm2面积的静态缺陷计数统计空白 title>
机译:在EUVL掩模空白的1cm(sup 2)区域内的光化缺陷计数统计