Logic gates; Electric fields; Switches; Integrated circuits; Electric breakdown; Electrodes; Boron;
机译:基于场注入技术的具有多个场板的300V高侧薄层SOI场pLDMOS
机译:薄层SOI场P沟道LDMOS的背栅感应击穿机制
机译:后门对
机译:现场植入对薄层SOI字段P沟道LDMOS的脱离和导通状态特性的影响
机译:电场在高纬度电离层中薄金属离子层的发生,结构和漂移中的作用
机译:不同金属覆盖层对P沟道SnO薄膜晶体管电性能和稳定性的影响
机译:具有锥形场氧化物的P沟道SOI LDMOS晶体管的特性
机译:在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30