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Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides

机译：具有锥形场氧化物的P沟道SOI LDMOS晶体管的特性

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Jongdae Kim Kim; Sang-Gi Kim Kim; Tae Moon Roh Roh; Hoon Soo Park Park; Jin-Gun Koo Koo; Dae Yong Kim Kim;
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年度 1999
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1. Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides [J] . Jongdae Kim, Sang-Gi Kim, Tae Moon Roh, ETRI journal . 1999,第3期

机译：带锥形场氧化物的p沟道SOI LDMOS晶体管的特性
2. Improvement of P-channel SOI LDMOS transistor by adapting a new tapered oxide technique [J] . Jongdae Kim, Sang-Gi Kim IEEE Transactions on Electron Devices . 1999,第9期

机译：通过采用新的锥形氧化物技术改进P沟道SOI LDMOS晶体管
3. p-channel LDMOS transistor using new tapered field oxidation technology [J] . Kim J., Kim S.G. Electronics Letters . 1998,第19期

机译：采用新型锥形场氧化技术的p沟道LDMOS晶体管
4. A novel p-channel SOI LDMOS transistor with tapered field oxides [C] . Kim, J., Kim, . 1998

机译：具有锥形场氧化物的新型p沟道SOI LDMOS晶体管
5. Advanced Germanium-Tin P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors [D] . Lei, Dian. 2018

机译：先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
6. P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas [O] . Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, -1

机译：基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
7. Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Using a Gate/Body-Tied P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-Type Photodetector for High-Speed Binary Operation [O] . 2018

机译：互补金属氧化物半导体图像传感器使用栅极/体绑住的P沟道金属氧化物半导体效果晶体管型光电探测器，用于高速二进制操作
8. Operation of SOI P-Channel Field Effect Transistors, CHT-PMOS30, under Extreme Temperatures [R] . Patterson, R., Hammoud, A. 2009

机译：在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30

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