ULK; Barrier layer; TDDB; ULK damage;
机译:随时间变化的介电击穿故障中超低k介电材料降解和Cu /超低k互连的纳米结构改变的证据
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究Cu /超低k电介质随时间变化的介电击穿的失效机理分析和工艺改进
机译:电子注量驱动,Cu催化的界面击穿机制,用于BEOL低k时间依赖性介电击穿
机译:对线(BEOL)CU /超低k时间依赖介电击穿(TDDB)依赖性的28nm后端的研究
机译:VLSI互连可靠性的建模与仿真方法对焦于时间依赖性介电故障
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究的Cu /超低k电介质的时间介电击穿失效机理分析及工艺改进