copper alloys; diffusion; indium alloys; molecular dynamics method; solders; In-Cu; copper; indium; intermetallic compounds growth; molecular dynamics simulations; parabolic low; power LED systems; solder material; temperature 400 K; thermal interface; volume diffusion; Aging; Compounds; Copper; Indium; Intermetallic; Materials; Soldering;
机译:电迁移诱导的金属间生长和对称Cu / Sn / Cu和Cu /金属间化合物(IMC)/ Cu接头中的空隙形成
机译:Cu和Al扩散键合界面区金属间化合物厚度的数值模拟
机译:Cu和Al扩散键合界面区金属间化合物厚度的数值模拟
机译:实验结果与/ Cu金属间化合物生长的数值模拟
机译:焊接过程中金属溶解和金属间化合物生长的实验研究和建模。
机译:纳米粒子添加对不同热条件下Cu / Sn-Ag-Cu / Cu焊点中金属间化合物(IMCs)的形成和生长的影响
机译:对有关“确定Cu6Sn5和Cu3Sn金属间化合物的互扩散系数的数值方法”的评论的回应
机译:阶跃Cu(100)表面的Co:实验数据与monteCarlo生长模拟的比较