14nm silicon technology; CMOS scaling; VLSI Circuit design; digital circuit design trends; fully depleted SOI; future CMOS design trends; future microprocessor designs; interconnect reliability; metal interconnect scaling;
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机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
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机译:图5:(a)跨技术节点的硅设计复杂性,(b)AMS电路的一般设计流程。
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