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机译:与In_(0.53)Al_(0.48)As盖层集成的14nm工艺节点In_(0.53)Ga_(0.47)As nFinFET的分析
Sardar Vallabhabhai Natl Inst Technol Dept Elect Engn Surat India;
In053Ga047As FinFET; In052Al048As; short channel effects; interface traps; underlap fin length;
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:快速热退火对在成分渐变的InAlAs / InAlGaAs变质缓冲层上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As多量子阱质量的影响
机译:无盖In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMT的制备与表征
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:使用磷化铟HBT技术的动态范围分析和高速集成电路设计
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:In(0.6)Ga(0.4)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管与In(0.53)Ga(0.47)as p-i-n光电二极管单片集成的性能特征