机译:微观结构特征研究退火工艺参数对AuGeNi欧姆接触n-GaAs的影响
机译:扩展了Shockley的传输线方法(TLM)以表征欧姆接触
机译:使用带有初始Ni层的AuGeNi欧姆接触可高度可复制地制造背栅GaAs / AIGaAs异质结构
机译:不同基板沉积温度的纳米结构Augeni / N-GaAs欧姆接触层的传输线模型(TLM)方法研究
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:基于纳米载体/ GaAs异质结构的谐振隧穿二极管Augeni欧姆触点的热降解研究
机译:低温电阻欧姆接触中等掺杂的n-Gaas,低温处理