Mathematical model; Integrated circuit modeling; Logic gates; HEMTs; Fitting; Data models; Solid modeling;
机译:使用符号定义的设备技术的InGaP / InGaAs增强和耗尽模式pHEMT的改进Angelov模型
机译:适用于GaN-HEMT宽带应用的双步EBL栅极制造技术
机译:基于Angelov模型的MM波FDSOI CMOS的经验大信号建模
机译:改进的angelov模型,用于探索性的GaN-HEMT技术,具有短而少指的栅极
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:美国药学科学家协会全国生物技术会议短期课程:开发抗体-药物偶联物的转化挑战
机译:基于高压50V GaN-HEMT技术的高效S波段25 W无混频器功率调制器的新设计方法
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。