机译:使用选择性无电极CoWP或CoB工艺减少高性能UTSOI CMOS器件中源/漏级数和接触电阻的新颖方法
机译:应用驱动的漂移扩散模型在Decanano规模CMOS器件中的载流子传输模型的改进
机译:传统的接触互连技术可替代0.85 / spl mu / m CMOS EPROM IC器件的接触塞(W)技术
机译:替代源/漏极接触焊盘架构,用于癸烷的CMOS器件中的接触电阻改善
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:接触塞沉积条件对多级CMOS逻辑互连器件中结漏电流和接触电阻的影响
机译:源/漏极连接和触点45 nm cmos及以后
机译:接触电阻以及材料和工艺变量对开关装置中接触电阻和接触可靠性的影响