机译:双极/ CMOS / DMOS技术中VDMOS晶体管的稳健性提高
机译:采用双极/ CMOS / DMOS技术的高可靠性功率VDMOS晶体管
机译:采用0.18μm双极CMOS-DMOS技术优化横向双扩散MOS晶体管,适用于宽电压应用
机译:工艺集成在课堂上最佳电阻20V至60V0.18μm双极CMOS DMOS技术
机译:互补的EDMOS晶体管以标准的0.35μmCMOS技术集成在40V应用中。
机译:PNP PIN双极型光电晶体管适用于采用180nm CMOS工艺的高速应用
机译:采用0.13μmsiGe:C-BiCmOs技术集成LDmOs晶体管,用于高频应用