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一种模块化双极-CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术

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摘要

一族半导体器件，形成于不含有外延层的半导体衬底中。一实施例中该族器件包括5V CMOS对、12V CMOS、5V NPN、5V PNP、横向沟槽MOSFET的多种形式和30V横向N沟道DMOS。每个器件在横向和垂直方向都非常紧凑，并且可以在衬底中和所有其它器件完全隔离。

公开/公告号CN101405867B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-11

原文格式PDF
申请/专利权人先进模拟科技公司;
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申请/专利号CN03825349.6
发明设计人理查德·K·威廉斯;迈克尔·E·康奈尔;陈伟田;
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申请日2003-09-19
分类号H01L29/78(20060101);H01L27/092(20060101);H01L27/04(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:05:06

1. 一种模块化双极-CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术 [P] . 中国专利： CN101405867B . 2010.08.11
2. 高压双极-CMOS-DMOS集成电路器件及其模块形成方法 [P] . 中国专利： CN101542697B . 2012.01.25
3. MODULAR BIPOLAR-CMOS-DMOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT AND POWER TRANSISTOR TECHNOLOGY [P] . 日本专利： JP2014013909A . 2014-01-23

机译：模块化双极CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术
4. A modular bipolar-CMOS-DMOS analog integrated circuit and power transistor technology [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2421040A1 . 2012-02-22

机译：模块化双极CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术
5. A MODULAR BIPOLAR-CMOS-DMOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT AND POWER TRANSISTOR TECHNOLOGY [P] . 韩国专利： KR20110002099A . 2011-01-06

机译：模块化双极CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术