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周蓉; 胡思福; 张庆中;
电子科技大学微电子科学与工程系;
硅化物; 氮化钛; 镇流电阻; 双极晶体管; 功率晶体管;
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:具有双极辅助栅极放电行为的高速硅基功率晶体管
机译:硅和碳化硅制成的双极型功率晶体管的静态特性比较
机译:HBT功率晶体管中发射极镇流的精确分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双极电凝LigaSure和超声技术对山羊肠系膜血管的热损伤宽度和止血作用以及双极电凝的最佳功率
机译:双极功率晶体管的热设计改进Si²⁸同位素
机译:EsD(静电放电)/ EOs(电过载)对一类双极射频功率晶体管的敏感性:对带状线对置发射晶体管的实验研究
机译:由双极半导体和功率场效应晶体管构成的高功率开关组合,采用硅-硅键合技术
机译:双极型晶体管,特别是高速垂直双极型晶体管,是通过单多晶硅技术生产的,采用成核层改善了绝缘区域的成核性,并采用差分外延基极生产
机译:用于制造双极型硅晶体管的方法以形成基极并打开根据该方法制造的发射极和双极型硅晶体管的方法
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