Cu low-k; Through silicon via interposer; flip chip; large die underfill;
机译:具有通过硅通孔(TSV)插入器的大晶粒细间距铜/低k $ FCBGA封装的开发
机译:细间距Cu / low-k Fcbga封装的底部填充选择方法
机译:具有与硅中的TSV相同间距的直通封装的超薄3-D玻璃中介层的设计,制造和表征
机译:带有硅通孔(TSV)中介层的大晶粒细间距Cu / low-k FCBGA封装的组装
机译:在无铅组装环境中开发小间距(0.4 mm)层叠封装器件的组装工艺。
机译:脉冲电流和预退火对通过硅通孔(TSV)铜热挤出的影响
机译:高速细间距晶圆级封装器件测试用中介层的设计与表征