机译:用于大电流操作的Si基板上的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管(HFET)
机译:在独立的GaN衬底上以1.2 kV级工作的1.8mΩ·cm〜2垂直GaN基沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用多晶电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管的带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的操作
机译:基于大功率GaN的场效应晶体管,用于大电流操作
机译:基于氮化镓的异质结场效应晶体管,用于大功率高频MMIC功率放大器。
机译:通过元素特定的X射线纳米光谱阐明了GaN基晶体管的工作机理
机译:基于AlInN / AlN / GaN的异质结场效应晶体管的Ti / Al / Ni / Au欧姆接触