机译:使用多晶电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管的带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的操作
Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Tatsunokuchi, Ishikawa 923-1292, Japan;
ferroelectric memory; PZT film; ferroelectric gate; nondestructive; intermediate electrode;
机译:带中间电极的铁电门场效应晶体管存储器的无干扰写入操作
机译:利用改进的操作方法无损读出带有中间电极的铁电门场效应晶体管存储器
机译:多晶硅金属氧化物半导体场效应基于晶体管堆叠的多层单层一晶体管,具有用于嵌入式系统的双栅极结构的双栅极结构
机译:FEDRAM:基于铁电门控场效应晶体管的无电容器DRAM
机译:用于DRAM应用的铁电门控场效应晶体管。
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