机译:采用0.1μmInGaAs / InAlAs / InP HEMT技术的高性能,低直流功率V波段MMIC LNA
机译:高效94-GHz 0.15- / splμ/ m InGaAs / InAlAs / InP单片功率HEMT放大器
机译:采用0.1 / spl mu / m拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs HEMT技术的单片23.5至94 GHz频率四倍频器
机译:在AlGaAs / inGaAs / GaAs和InGaAs / InAlAs / InP HEMT上均具有0.1 / spl mu / m MMIC放大器的高可靠性
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”
机译:假晶InGaas / alGaas(ON Gaas)和InGaas / Inalas(Inp)mODFET结构的电子特性