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Dual work function metal gate CMOS transistors fabricated by ni-ti interdiffusion

机译：通过镍钛互扩散制成的双功函数金属栅CMOS晶体管

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来源
《》|2001年|P.411-414|共4页
会议地点
作者
Polishchuk; I.; Ranade; P.; Tsu-Jae King;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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