法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
授权
授权
2014-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20120803
实质审查的生效
2014-02-12
公开
公开
机译: 用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译: 用于互补场效应晶体管的双功函数金属栅结构的制作
机译: 具有双功函数门的互补金属氧化物半导体CMOS场效应晶体管及其制造方法