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机译:高压4H-SiC二极管中的载体寿命“悖论”
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:用OCVD技术测量3.3kV 4H-siC piN二极管载流子寿命温度的依赖性