boron; diffusion barriers; nitrogen; random-access storage; titanium; tungsten compounds; B-N; B-N dielectric formation; Ti-WN; Ti/WN diffusion barriers; WSi-WN; WSix/WN diffusion barrier; gate oxide reliability; tungsten dual polymetal gate memory devices;
机译:Ti,TiN和WN作为钨双多晶硅栅堆叠在存储设备中的互扩散壁垒
机译:具有低接触电阻的WSi_xWN扩散阻挡层的钨多金属栅极的栅极氧化物可靠性表征
机译:Ti / WN / WSiN势垒金属优化存储器件中的钨双金属栅极
机译:钨双重多型栅极存储器件WSIX / WN扩散屏障的限制
机译:使用PVD两步氮化钛阻挡层工艺的优势,以及由于钨膜的不均匀性,钨膜沉积产生的残留副产物对工艺集成的影响。
机译:用原位透射电镜研究由氧化钨和铜构成的电阻型随机存取存储器的开关操作和性能下降
机译:采用宏观极化堆栈的高速和非易失性存储器件,由与工程隧道氧化物阻挡层相互连接的双浮动栅极组成
机译:用于快速,高密度,非易失性存储器件的凤头隧道屏障