一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

本发明公开一种栅控双极‑场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式，代替传统的氮化镓VDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。该器件工作在关态时，器件的耐压特性与传统的氮化镓VDMOS的一致。该器件工作在开态时，由于栅极与基区相连，当在栅极接入栅压时，基区也接入一定电压，使得器件寄生的双极型晶体管开启，提供了一个新的导电通道；与此同时，器件的沟道同样能正常开启进行导电。该器件与传统的氮化镓VDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高了器件的导通电流，极大改善了氮化镓晶体管的导通性能。