carbon compounds; field effect transistors; organic semiconductors; Csub22/subFsub14/sub; N-channel organic FET; OFET performance; P-channel organic FET; PF-pentacene; pentacene; perfluoropentace;
机译:具有Ni1-yPty SiGe源极/漏极触点的P沟道三栅极FinFET,可增强驱动电流性能
机译:通过交错n沟道和p沟道有机薄膜晶体管中的自组装单层修饰金的源极和漏极
机译:具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征,用于源极和漏极触点
机译:考虑源/沟道/漏极的能级,以增强N和P沟道有机FET的性能
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征,用于源极和漏极螺栓