silicon; elemental semiconductors; annealing; carrier lifetime; carrier mobility; cooling; phonons; plasma materials processing; electrical resistivity; athermal annealing; silicon implanted layer; carrier mobility; carrier lifetime; thermal exposure; semiconductor processing; laser irradiation; optical irradiation; plasma; heat dissipation; thermalization; wafer irradiation; coherent excitation; phonons; Si;
机译:无热退火技术诱导的硅注入GaAs的结构改性
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:植入后退火过程中,用石墨覆盖层保护选择性植入和构图的碳化硅表面
机译:硅植入层的动脉退火:超出光线
机译:离子注入硅的感受器辅助微波退火。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:P型Al植入的4H-SIC层上的欧姆接触后的植入后退火
机译:硅上重度损伤注入层的激光束退火