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IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
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1.
Alignment mark shift due to thermal non-uniformity: what is moving?
机译:
由于热不均匀性导致的对准标记移位:什么是移动?
作者:
Lojek B.
;
Whiteman M.
;
Starzinski K.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
thermal stresses;
semiconductor technology;
rapid thermal annealing;
alignment mark shift;
thermal nonuniformity;
ITRS working group;
mask alignment;
overlay control;
mechanical stress;
thermal processing;
wafer distortion;
source/drain step;
contact masking step;
2.
Emissivity compensated pyrometry for specular silicon surfaces on the NIST RTP test bed
机译:
NIST RTP试验台上的镜面硅表面的发射率补偿热测定
作者:
Tsai B.K.
;
Bodycomb J.
;
DeWitt D.P.
;
Kreider K.G.
;
Kimes W.A.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
silicon;
elemental semiconductors;
spectral methods of temperature measurement;
rapid thermal processing;
semiconductor technology;
pyrometers;
thermometers;
emissivity compensated pyrometry;
silicon surfaces;
NIST RTP test bed;
pyrometric thermometry;
rapid thermal processing;
surface emissivity;
reflectometer;
metal organic chemical vapor deposition;
MOCVD;
compound semiconductors;
National Institute of Standards and Technology;
Si;
3.
Alignment mark shift due to thermal non-uniformity: what is moving?
机译:
由于热不均匀性导致的对准标记移位:什么是移动?
作者:
Lojek B.
;
Whiteman M.
;
Starzinski K.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
thermal stresses;
semiconductor technology;
rapid thermal annealing;
alignment mark shift;
thermal nonuniformity;
ITRS working group;
mask alignment;
overlay control;
mechanical stress;
thermal processing;
wafer distortion;
source/drain step;
contact masking step;
4.
Modeling and experimental results for an RTP light-pipe radiation thermometer calibration testbed
机译:
RTP光管辐射温度计校准测试的建模与实验结果
作者:
Ball K.S.
;
Howell J.R.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
silicon;
elemental semiconductors;
rapid thermal processing;
thermometers;
semiconductor process modelling;
calibration;
thermocouples;
Monte Carlo methods;
RTP light-pipe radiation thermometer calibration testbed;
thermocouple-instrumented silicon wafers;
Monte Carlo simulation;
surface properties;
Si;
5.
Modeling and experimental results for an RTP light-pipe radiation thermometer calibration testbed
机译:
RTP光管辐射温度计校准测试的建模与实验结果
作者:
Ball K.S.
;
Howell J.R.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
silicon;
elemental semiconductors;
rapid thermal processing;
thermometers;
semiconductor process modelling;
calibration;
thermocouples;
Monte Carlo methods;
RTP light-pipe radiation thermometer calibration testbed;
thermocouple-instrumented silicon wafers;
Monte Carlo simulation;
surface properties;
Si;
6.
Post BF/sub 2//sup +/ implant annealing using single wafer rapid thermal furnace
机译:
使用单晶片快速热炉POST BF / SUP 2 // SUP + /植入式退火
作者:
Fukada T.
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
boron compounds;
silicon;
elemental semiconductors;
ion implantation;
semiconductor doping;
rapid thermal annealing;
electrical resistivity;
secondary ion mass spectra;
thermally stimulated desorption;
doping profiles;
solid solubility;
post BF/sub 2//sup +/ implant annealing;
single wafer rapid thermal furnace;
sheet resistance;
boron;
fluorine;
secondary ion mass spectroscopy;
SIMS;
silicon surface;
desorption;
electrically activated dopant concentration;
junction depth;
solid solubility;
900 to 1100 degC;
30 to 1800 sec;
Si:/sup 49/BF/sub 2//sup +/;
7.
Post BF/sub 2//sup +/ implant annealing using single wafer rapid thermal furnace
机译:
使用单晶片快速热炉POST BF / SUP 2 // SUP + /植入式退火
作者:
Fukada T.
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2004年
关键词:
boron compounds;
silicon;
elemental semiconductors;
ion implantation;
semiconductor doping;
rapid thermal annealing;
electrical resistivity;
secondary ion mass spectra;
thermally stimulated desorption;
doping profiles;
solid solubility;
post BF/sub 2//sup +/ implant annealing;
single wafer rapid thermal furnace;
sheet resistance;
boron;
fluorine;
secondary ion mass spectroscopy;
SIMS;
silicon surface;
desorption;
electrically activated dopant concentration;
junction depth;
solid solubility;
900 to 1100 degC;
30 to 1800 sec;
Si:/sup 49/BF/sub 2//sup +/;
8.
Importance of Heat-Up Ramp Rate for Palladium-Silicide Fully-Silicided-Gate Structure Formation
机译:
钯 - 硅化物完全硅化栅极结构形成的热度升温速率的重要性
作者:
Sano K.
;
Hosoi T.
;
Shibahara K.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2005年
9.
Green Laser Annealing with Light Absorber
机译:
绿色激光退火与光吸收器
作者:
Shibahara K.
;
Matsuno A.
;
Takii E.
;
Eto T.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2005年
10.
Infrared Emittance Measurements at NIST
机译:
NIST的红外线发射率测量
作者:
Hanssen L.M.
;
Tsai B.K.
;
Mekhontsev S.N.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2005年
11.
SiON Gate Dielectric Formation by Rapid Thermal Oxidation of Nitrided Si.
机译:
Sion栅极介电形成通过快速热氧化氮化硅。
作者:
Everaert J.-L.
;
Conard T.
;
Schaekers M.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2005年
12.
SiON Gate Dielectric Formation by Rapid Thermal Oxidation of Nitrided Si.
机译:
Sion栅极介电形成通过快速热氧化氮化硅。
作者:
Everaert J.-L.
;
Conard T.
;
Schaekers M.
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2005年
13.
Thermal Performance Challenges for Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理的热性能挑战
作者:
Jeff Hebb
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
14.
TRACEABLE TEMPERATURE CALIBRATIONS OF RADIATION THERMOMETERS FOR RAPID THERMAL PROCESSING
机译:
辐射温度计可追踪温度校准,用于快速热处理
作者:
Benjamin K. Tsai
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
15.
STUDY OF THE RADIATIVE PROPERTIES OF SILICON-BASED MATERIALS FOR: THERMAL PROCESSING AND CONTROL
机译:
基于硅基材料的辐射性能研究:热加工和控制
作者:
Z. M. Zhang
;
B. J. Lee
;
H. J. Lee
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
16.
TRACEABLE EMISSIVITY MEASUREMENTS IN RTP USING ROOM TEMPERATURE REFLECTOMETRY
机译:
使用室温反射测量法在RTP中进行可追溯的发射率测量
作者:
Aaron Hunter
;
Bruce Adams
;
Rajesh Ramanujam
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
17.
THE ROLE OF EMISSIVITY STANDARDS IN ADVANCED RTP
机译:
发射率标准在高级RTP中的作用
作者:
Rolf Brernensdorfer
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
18.
THIN FILM AND EMISSIVITY EFFECTS ON RADIOMETRIC TEMPERATURE MEASUREMENT ACCURACY
机译:
薄膜和发射率对辐射温度测量精度的影响
作者:
Jeffrey Bodycomb
;
Paul Helm
;
Matthew Kane
;
David Nicol
;
Ian Ferguson
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
19.
PANEL DISCUSSION ON EMISSIVITY STANDARDS FOR RTP
机译:
关于RTP发射率标准的小组讨论
作者:
Bruce E. Adams
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
20.
RTP OF TITANIUM BORIDE FOR APPLICATIONS IN FRONT END PROCESSING
机译:
用于前端加工中的应用的钛硼化物RTP
作者:
W. Zagozdzon-Wosik
;
R. Ranjit
;
I. Rusakova
;
P. van der Heide
;
Z. Zhang
;
J. Bennett
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
21.
Advantages of in-situ RTF for the Fabrication of Metal/Mgh-dielectric constant gate dielectric stack for sub 90 nm CMOS Technology
机译:
用于制造金属/ MGH介电常数栅极介质叠层的原位RTF的优点,用于SUB 90 NM CMOS技术
作者:
D. Damjanovic
;
K. F. Poole
;
R. Singh
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
22.
Flash Thermal Processing Through the Melting Point of Silicon
机译:
闪光热处理通过硅的熔点
作者:
J. J. Cibere
;
S. P. McCoy
;
D. Camm
;
G. C. Stuart
;
K. Elliott
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
23.
DESIGN OF HALOGEN LAMPS FOR RAPID THERMAL PROCESSING
机译:
快速热处理卤素灯设计
作者:
Joseph M Ranish
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
24.
Heat Transfer in Product Patterned Silicon Semiconductor Substrate
机译:
产品图案化硅半导体衬底中的传热
作者:
B. Lojek
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
25.
IN-SITU STEAM GENERATION FOR SHALLOW TRENCH ISOLATION IN SUB-100NM DEVICES
机译:
在10nm设备中浅沟槽隔离的原位蒸汽发电
作者:
Hali J. L. Forstner
;
Faran Nouri
;
Christopher Olsen
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
26.
WHY EMISSIVITY STANDARDS AND WHAT CHARACTERISTICS?
机译:
为什么发射率标准和什么特征?
作者:
Bruce Peuse
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
27.
Continuity in the development of ultra shallow junctions for 130-45 nm CMOS: The tool and annealing methods
机译:
130-45 nm CMOS的超浅线开发的连续性:工具和退火方法
作者:
V. I. Kuznetsov
;
A. J. M. M. van Zutphen
;
H. R. Kerp
;
P. G. Vermont
;
X. Pages
;
J. J. van Hapert
;
K. van der Jeugd
;
E. H. A. Granneman
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
28.
RAPED THERMAL GROWTH OF SILICON NITRIDE FILMS
机译:
强奸氮化硅膜的热生长
作者:
A. Ludsteck
;
J. Schulze
;
I. Eisele
;
Z. Nenyei
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
29.
INVESTIGATION OF THE DOSE LOSS DURING ANNEALING IN NITROGEN OF SHALLOW-IMPLANTED ARSENIC
机译:
浅埋砷氮气退火期间的剂量损失研究
作者:
R. EL FARHANE
;
F. SALVETTI
;
F. WACQUANT
;
C. LAVTRON
;
B. FROMENT
;
M. MULLER
;
A. POUYDEBASQUE
;
A. HALMAOUI
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
30.
New Directions in Thermal Batch Processing
机译:
热批处理中的新方向
作者:
Robert Herring
;
Thierry Lazerand
;
Cole Porter
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
31.
USE OF OPTICAL FIBER THERMOMETERS IN HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENTS
机译:
在高温环境中使用光纤温度计
作者:
Matthew R. Jones
;
David G. Barker
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
32.
LIGHTPIPE PROXIMITY EFFECTS ON Si WAFER TEMPERATURE IN RAPID THERMAL PROCESSING TOOLS
机译:
LightPipe接近快速热加工工具SI晶片温度的影响
作者:
K. G. Kreider
;
D. H. Chen
;
D. P. DeWitt
;
W. A. Kimes
;
B. K. Tsai
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
33.
Emissivity of Semiconductor Substrate in Non-equilibrium Environment
机译:
非平衡环境中半导体衬底的发射率
作者:
B. Lojek
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
34.
A Novel Method for RTP Low Temperature Monitor
机译:
一种新型RTP低温监测方法
作者:
C. C. Huang
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
35.
AN EXAMINATION OF ATHERMAL, PHOTONIC EFFECTS ON BORON DIFFUSION AND ACTIVATION DURING MICROWAVE RAPID THERMAL PROCESSING
机译:
微波快速热加工过程中硼扩散和活化的迁移率的检查
作者:
Christopher Bonifas
;
Keith Thompson
;
John Booske
;
Reid Cooper2
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
36.
OVERVIEW OF NIST METROLOGY DEVELOPMENT FOR THE SEMICONDUCTOR INDUSTRY
机译:
半导体行业NIST计量发展概述
作者:
Stephen Knight
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
37.
Sensor Location, Identification, and Multivariable Iterative Learning Control of an RTP Process for Maximum Uniformity of Wafer Temperature Distribution
机译:
RTP过程的传感器位置,识别和多变量迭代学习控制,以实现晶片温度分布的最大均匀性
作者:
M. Cho
;
Y. Lee
;
S. Joo
;
K. S. Lee
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
38.
Reflectivity of the Silicon Semiconductor Substrate and its Dependence on the Doping Concentration and Intensity of the Irradiation
机译:
硅半导体衬底的反射率及其对掺杂浓度和辐射强度的依赖性
作者:
B. Lojek
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
39.
CHALLENGES FOR ULTRA-SHALLOW JUNCTION FORMATION TECHNOLOGIES BEYOND THE 90NM NODE
机译:
超过90nm节点超出结浅结形成技术的挑战
作者:
P. J. Timans
;
W. Lerch
;
J. Mess
;
S. Paul
;
N. Acharya
;
Z. Nenyei
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
40.
KRF EXCIMER LASER ANNEALING FOR ULTRA SHALLOW JUNCTION FORMATION: APPROACH FOR IRRADIATION ENERGY DENSITY REDUCTION
机译:
用于超浅接线形成的KRF准分子激光退火:照射能量密度降低的方法
作者:
K. Shibahara
;
K. Kurobe
;
Y. Ishikawa
;
K. Kagawa
;
Y. Niwatsukino
;
A. Matsuno
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
41.
DEVELOPMENT OF EXPERIMENTALLY VALIDATED OPTICAL PROPERTY MODELS FOR SILICON AND RELATED MATERIALS
机译:
用于硅及相关材料的实验验证光学性能模型的开发
作者:
B. J. Lee
;
Z. M. Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
42.
ROOM TEMPERATURE HEMISPHERICAL AND BI-DIRECTIONAL REFLECTANCES
机译:
室温半球和双向反射
作者:
Edward A. Early
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
43.
TEMPERATURE DEPENDENT EMISSIVITY METROLOGY DEVELOPMENT AT NIST IN SUPPORT OF RTP NEEDS
机译:
NIST的温度依赖发射率计量在支持RTP需求
作者:
Leonard M. Hanssen
;
Vladimir Khromchenko
;
Sergey N. Mekhontsev
会议名称:
《IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors》
|
2003年
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