silicon compounds; wide band gap semiconductors; power MESFET; semiconductor device models; lattice heating; 4H-SiC RF power devices; 2D electrical simulations; 3D thermal simulations; electrical transport; SiC RF power MESFET; thermal effects; SiC;
机译:SiC射频功率器件中晶格加热的计算
机译:Si基Peltier器件与4H-SiC功率器件的3D集成
机译:多指4H-SiC功率MESFET的电热分析模型和自热效应仿真
机译:基于2D电气和3D热模拟的4H-SiC RF功率器件中的晶格加热的计算
机译:基于物理的热阻抗模型,用于仿真半导体器件和电路中的自热。
机译:基于双4H-SiC JBS和SBD器件的高性能温度传感器
机译:具有微流体冷却和焦耳热效应的三维集成系统的电 - 热联合仿真
机译:基于1200 V,100 a,200°C,4H-siC mOsFET的电源开关模块的电气和热性能