机译:多指4H-SiC功率MESFET的电热分析模型和自热效应仿真
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, 610054 Chengdu, People's Republic of China;
机译:4H-SiC MESFET自热效应的电热模拟
机译:基于物理的4H-SiC MESFET的俘获和自热效应模型
机译:结合体和界面陷阱效应的4H-SiC MESFET的改进分析模型
机译:4H-SIC MESFET的新型自热效果模型
机译:大信号电热LDMOSFET建模以及RF功率放大器中的热存储效应。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。